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口頭

強磁性ウラン化合物URh$$_6$$X$$_4$$(X = Si, Ge)単結晶の物性

芳賀 芳範; 松本 裕司*; 中村 友紀*; Pospisil, J.; 立岩 尚之; 山本 悦嗣; 本多 史憲*; 本間 佳哉*; 青木 大*; 山村 朝雄*

no journal, , 

URh$$_6$$X$$_4$$(X = Si, Ge)は六方晶LiCo$$_{6}$$P$$_{4}$$型結晶構造をとる強磁性体である。今回、微少単結晶の育成に成功し、その物性の詳細を報告する。両者はいずれも15K付近にキュリー点を持ち、強い1軸異方性を示す。また、電子比熱係数は強磁性状態で60mJ/K$$^2$$molと、かなり増大していることがわかった。

口頭

Electrical conductivity of antiferromagnetic Dirac quasi-particles

山本 慧; Smejkal, L.*; Jungwirth, T.*; Sinova, J.*

no journal, , 

We study the influence of a change in Neel vector orientation on electrical conductivity in antiferromagnetic Dirac nodal-point and nodal-line semimetals. In certain PT symmetric antiferromagnetic materials, such as CuMnAs, protected anti-crossings occur when the Neel vector is oriented along a crystallographic high-symmetry axis. By an explicit computation for model tight-binding Hamiltonians, we demonstrate that the transition between gapless and gapped phases mediated by the rotation of Neel vector manifests itself in a strong orientation dependence o electrical conductivity.

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